中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究

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	中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究
	廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰
	2007-05-25
发表期刊	真空
期号	3 页码:32-35
摘要	采用中频磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。通过对实验现象的分析讨论,解释了薄膜沉积速率变化的原因。
部门归属	东北大学机械与自动化学院,东北大学机械与自动化学院,中国科学院金属研究所表面工程部,北京航空航天大学机械与自动化学院,辽宁工学院机械与自动化学院辽宁沈阳110004辽宁工学院机械与自动化学院,辽宁锦州121001,辽宁沈阳110004,辽宁沈阳110016,北京100083,辽宁锦州121001
关键词	迟滞回线反应溅射中频溅射氧化铝薄膜
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/24722
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究[J]. 真空,2007(3):32-35.
APA	廖国进,巴德纯,闻立时,刘斯明,&阎绍峰.(2007).中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究.真空(3),32-35.
MLA	廖国进,et al."中频反应磁控溅射沉积Al_2O_3薄膜中迟滞回线的研究".真空 .3(2007):32-35.