| 温度对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响 |
| 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时
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| 2005-06-20
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发表期刊 | 材料科学与工程学报
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期号 | 3页码:341-344 |
摘要 | 应用DC(直流 )反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜 ,在固定的电源功率下 ,氩气流量为 4 2 .6sccm ,氧流量为 15sccm ,溅射时间为 30分钟的条件下 ,通过控制温度改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&kAnalyzer 12 0 0测量 ,当温度增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷向长波方向移动 ;温度对消光系数k影响不大 ;当温度低于180℃薄膜的折射率变化不大 ,当温度达到 2 4 0℃左右时薄膜的折射率明显降低。通过XRD和SEM表征发现 ,随着温度的增加TiO2 的晶体结构由混晶变为单一的锐钛矿相 ,薄膜表面的颗粒由多变少 ,表面形貌由粗糙多孔变得细腻平滑。 |
部门归属 | 东北大学,中山大学,东北大学,中国科学院广州能源研究所,中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110004 沈阳农业大学,辽宁沈阳110161,广东广州510275,辽宁沈阳110004,广东广州510070,辽宁沈阳110016
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关键词 | 二氧化钛薄膜
直流反应磁控溅射
温度
反射率
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/25365
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专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时. 温度对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响[J]. 材料科学与工程学报,2005(3):341-344.
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APA |
王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时.(2005).温度对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响.材料科学与工程学报(3),341-344.
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MLA |
王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时."温度对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响".材料科学与工程学报 .3(2005):341-344.
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