| 偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理 |
| 黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时
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| 2003-05-11
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| 发表期刊 | 金属学报
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| 期号 | 5页码:510-515 |
| 摘要 | 在不同偏压下用电弧离子镀沉积TiN薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面大颗粒污染情况,并分析偏压对大颗粒的影响。结果表明,偏压对大颗粒的影响主要来自电场的排斥作用。直流偏压下,等离子体鞘层基本稳定,电子对大颗粒表面充电能力很弱,而脉冲偏压下,由于鞘层厚度不断变化,大颗粒不断进出于鞘层,电子对大颗粒表面的充电能力强,使其所带负电荷明显增多,受到基体的排斥力变大,大颗粒不易沉积到基体而使薄膜形貌得到有效改善。 |
| 部门归属 | 大连理工大学三束实验室,大连理工大学三束实验室,大连理工大学三束实验室,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 大连 116024 中国科学院金属研究所,沈阳 110016,大连 116024,大连 116024,沈阳 110016,沈阳 110016
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| 关键词 | 偏压
电弧离子镀
Tin薄膜
表面形貌
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26106
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时. 偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理[J]. 金属学报,2003(5):510-515.
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| APA |
黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时.(2003).偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理.金属学报(5),510-515.
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| MLA |
黄美东,林国强,董闯,孙超,闻立时."偏压对电弧离子镀薄膜表面形貌的影响机理".金属学报 .5(2003):510-515.
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