| 激光诱导制备纳米SiC粉体 |
| 线全刚,梁勇,杨柯,王淑兰
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| 2003-04-30
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| 发表期刊 | 沈阳工业大学学报
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| 期号 | 2页码:170-172 |
| 摘要 | 以硅烷SiH4和乙炔C2H2为反应原料,采用激光诱导化学气相沉积制各(LICVD)理想纳米SiC粉体.用化学分析、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及比表面积(BET)等分析测试手段对粉体进行了表征,结果表明粉体中SiC含量高于98%,平均粒径为20nm,晶体结构为β SiC,粉体产率大于200g/h,粉体中含氧量低于1%. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所 辽宁沈阳110016 ,辽宁沈阳110016 ,辽宁沈阳110016 ,辽宁沈阳110016
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| 关键词 | 激光
制备
纳米
碳化硅
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26119
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
线全刚,梁勇,杨柯,王淑兰. 激光诱导制备纳米SiC粉体[J]. 沈阳工业大学学报,2003(2):170-172.
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| APA |
线全刚,梁勇,杨柯,王淑兰.(2003).激光诱导制备纳米SiC粉体.沈阳工业大学学报(2),170-172.
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| MLA |
线全刚,梁勇,杨柯,王淑兰."激光诱导制备纳米SiC粉体".沈阳工业大学学报 .2(2003):170-172.
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