ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响

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	ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响
	陆峰,徐成海,孙超,闻立时
	2003-01-30
发表期刊	东北大学学报
期号	1 页码:54-57
摘要	主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系?得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大?制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω?cm,可见光透射率达到80%以上?
部门归属	东北大学机械工程与自动化学院 , 东北大学机械工程与自动化学院 , 中国科学院金属研究所 , 中国科学院金属研究所辽宁沈阳　110004,辽宁沈阳　110004,辽宁沈阳　110015 ,辽宁沈阳　110015
关键词	Zao薄膜 Al质量分数 Eds Xrd 电阻率透射率
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26241
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陆峰,徐成海,孙超,闻立时. ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响[J]. 东北大学学报,2003(1):54-57.
APA	陆峰,徐成海,孙超,闻立时.(2003).ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响.东北大学学报(1),54-57.
MLA	陆峰,徐成海,孙超,闻立时."ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响".东北大学学报 .1(2003):54-57.