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电化学处理后CVD法SiC纤维阻抗特性及电阻率测量
罗鲲,石南林,段亚丁,祖亚培,史志明
2001-06-30
发表期刊宇航材料工艺
期号3页码:45-48
摘要采用交流阻抗法在 50Hz~ 50 0 0 0Hz范围内测量了电化学处理前后的CVD法SiC纤维样品 ,确定其具有电阻阻抗特征。通过模拟电路分析推导出计算纤维平均体电阻率及表面层电阻率的方法 ,并计算出SiC纤维表面氧化层的电阻率为 5× 1 0 4 Ω?m左右。讨论了电阻率的影响因素
部门归属中国科学院金属研究所!沈阳110015.,中国科学院金属研究所!沈阳110015.,中国科学院金属研究所!沈阳110015.,中国科学院金属研究所!沈阳110015.,中国科学院金属研究所!沈阳110015.
关键词Cvd Sic纤维 电阻抗特性 电阻率
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/26916
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
罗鲲,石南林,段亚丁,祖亚培,史志明. 电化学处理后CVD法SiC纤维阻抗特性及电阻率测量[J]. 宇航材料工艺,2001(3):45-48.
APA 罗鲲,石南林,段亚丁,祖亚培,史志明.(2001).电化学处理后CVD法SiC纤维阻抗特性及电阻率测量.宇航材料工艺(3),45-48.
MLA 罗鲲,石南林,段亚丁,祖亚培,史志明."电化学处理后CVD法SiC纤维阻抗特性及电阻率测量".宇航材料工艺 .3(2001):45-48.
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