ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响

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	ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响
	姜健,巴德纯,闻立时
	2000-11-15
发表期刊	真空
期号	6 页码:24-28
摘要	:Zn O∶ Al是一种 N型半导体材料 ,具有透明氧化导电薄膜优良的光电特性 ,本文着重地介绍了直流和射频磁控反应溅射下 ,各种工艺参数对 Zn O∶ Al薄膜电阻率的影响
部门归属	东北大学!辽宁沈阳110006,东北大学!辽宁沈阳110006,中国科学院金属研究所!辽宁沈阳110015
关键词	Zno∶al Zao 电阻率霍尔迁移率载流子浓度
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27136
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	姜健,巴德纯,闻立时. ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响[J]. 真空,2000(6):24-28.
APA	姜健,巴德纯,闻立时.(2000).ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响.真空(6),24-28.
MLA	姜健,巴德纯,闻立时."ZnO∶Al薄膜的制备和工艺参数对其电阻率的影响".真空 .6(2000):24-28.