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球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察
杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强
2000-07-18
Source Publication金属学报
Issue7Pages:684-688
Abstract在室温条件下,球磨Si,C混合粉末合成纳米尺寸SiC.采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该反应过程.高分辨像表明,在球磨过程中首先形成非晶 C(a-C)、非晶 Si(a-Si)以及纳米晶 Si(c-Si),为合成 SiC提供了适宜条件 SiC的合成主要是通过 C原子向 a-Si及 c-Si的扩散对于前者,形成非晶 a-Si(C),然后机械力诱使非晶 a-Si(C)晶化;对于后者, C原子直接取代 Si原子形成 SiC,具有取向关系(111)SiC //(111)Si.在一些区域内,还发生局域自蔓延反应,形成稍大尺寸的 SiC晶粒
description.department中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室!沈阳110015,中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室!沈阳110015
Keyword球磨 高分辨电镜 扩散 非晶晶化 局域自蔓延
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27225
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强. 球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察[J]. 金属学报,2000(7):684-688.
APA 杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强.(2000).球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察.金属学报(7),684-688.
MLA 杨晓云,黄震威,吴玉琨,叶恒强."球磨Si,C混合粉末合成纳米SiC的高分辨电镜观察".金属学报 .7(2000):684-688.
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