| 纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结 |
| 李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟
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| 1997-10-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 5页码:473-478 |
| 摘要 | 用六面顶超高压在1.0－5.0GPa，25～1500℃条件下烧结激光法制备的纳米非晶Si3N4粉，有“冷烧结”特代表现为：在5GPa，室温下压制的块体密度达理论值的93％，这是高压下纳米粒子产生流变的结果当烧结温度较低（800～950℃）时，高压烧结体为棕色透明的致密（98％）纳米非晶块体；烧结温度较高（1300～1500℃）时，形成纯白色致密纳米晶Si3N4块体，硬度为15.53～1605GPa研究表明，超高压烧结纳米陶瓷粉可显著降低烧结温度，控制晶粒生长，是获得致密纳米材料的有效途径 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所微晶与激光加工研究室!沈阳市,110015,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 纳米陶瓷
Si_3n_4
非晶
超高压
烧结
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27797
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟. 纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结[J]. 材料研究学报,1997(5):473-478.
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| APA |
李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟.(1997).纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结.材料研究学报(5),473-478.
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| MLA |
李亚利,梁勇,佟百运,郑丰,马贤峰,崔硕景,赵伟."纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结".材料研究学报 .5(1997):473-478.
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