| 氮化硅晶须显微结构的研究 |
| 周延春,常昕,周敬,陈声崎,夏非
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| 1994-04-25
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| 发表期刊 | 电子显微学报
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| 期号 | 2页码:90-94 |
| 摘要 | 利用透射电子显微镜对气固相法制备的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的显微结构进行了研究。实验发现α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须具有何（１０１０），（１０１１）和［０００１］三个生长方向，并且α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须中有大量的生长缺陷。而β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的生长方向只有（１０１０）一个，且几乎观察不到任何缺陷。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
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| 关键词 | Si＿3n＿4
晶须
显微结构
缺陷
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28446
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
周延春,常昕,周敬,陈声崎,夏非. 氮化硅晶须显微结构的研究[J]. 电子显微学报,1994(2):90-94.
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| APA |
周延春,常昕,周敬,陈声崎,夏非.(1994).氮化硅晶须显微结构的研究.电子显微学报(2),90-94.
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| MLA |
周延春,常昕,周敬,陈声崎,夏非."氮化硅晶须显微结构的研究".电子显微学报 .2(1994):90-94.
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