| 碳纤维上碳化硅涂层的工艺研究 |
| 郑国斌,沈祖洪,张名大
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| 1991-04-02
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| 发表期刊 | 碳素
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| 期号 | 1页码:16-21 |
| 摘要 | 用热壁法在1050～1250℃的温度范围内,利用CH_3SiCl_3作原料,H_2作载气,Ar作稀释气体,在碳纤维上用化学气相沉积法(CVD)涂覆碳化硅涂层。在CH_3SiCl_3温度为19±3℃,H_2/CH_3SiCl_3为5:1,Ar的流量为2.67升/分的条件下得到均匀的碳化硅涂层。涂层的结构为β-SiC。H_2影响反应过程,从而影响产物的组成及结构。在沉积初期,涂层厚度与反应时间成正比。沉积反应的活化能为82kJ/mol。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所
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| 关键词 | 碳化硅涂层:7202
碳纤维:5042
涂层厚度:3475
Sici:1825
沉积反应:1380
工艺研究:1377
沉积时间:1275
反应管:847
氯甲基硅烷:766
衍射峰:743
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28998
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑国斌,沈祖洪,张名大. 碳纤维上碳化硅涂层的工艺研究[J]. 碳素,1991(1):16-21.
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| APA |
郑国斌,沈祖洪,张名大.(1991).碳纤维上碳化硅涂层的工艺研究.碳素(1),16-21.
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| MLA |
郑国斌,沈祖洪,张名大."碳纤维上碳化硅涂层的工艺研究".碳素 .1(1991):16-21.
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