| 热解氮化硼在分子束外延中的应用 |
| 黄运衡; 赵凤鸣
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| 1985-08-29
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| 发表期刊 | 真空科学与技术
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| 期号 | 4页码:59-62 |
| 摘要 | 热解氮化硼(Pyrolytic Boron Nitride,简称PBN)是七十年代发展起来的新型无机陶瓷材料。它可以作绝缘屏蔽和坩锅。本文将介绍PBN材料在分子束外延中用作坩埚,已生长出纯度较高的GaAs,Al_xGa_(1-x)As单晶薄膜。 |
| 部门归属 | 中国科学院半导体所,中国科学院金属所,
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| 关键词 | 分子束外延生长:7211
氮化硼:4324
热解:2616
纯度:2045
真空性能:1927
陶瓷材料:1824
源材料:1781
单晶薄膜:1763
高纯石墨:1681
火花源质谱:1449
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29666
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄运衡,赵凤鸣. 热解氮化硼在分子束外延中的应用[J]. 真空科学与技术,1985(4):59-62.
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| APA |
黄运衡,&赵凤鸣.(1985).热解氮化硼在分子束外延中的应用.真空科学与技术(4),59-62.
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| MLA |
黄运衡,et al."热解氮化硼在分子束外延中的应用".真空科学与技术 .4(1985):59-62.
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