Morphology of GaN in ammonia | |
Y. C. Lan; X. L. Chen; Y. G. Cao; Y. P. Xu; T. Xu; J. Y. Li; Z. Tao; J. Liang | |
2000 | |
发表期刊 | Journal of Materials Science Letters
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ISSN | 0261-8028 |
卷号 | 19期号:24页码:2215-2217 |
部门归属 | chinese acad sci, inst phys, beijing 100080, peoples r china. chinese acad sci, ctr condensed matter phys, beijing 100080, peoples r china. acad sinica, int ctr mat phys, shenyang 110015, peoples r china.;lan, yc (reprint author), chinese acad sci, inst phys, pob 603, beijing 100080, peoples r china |
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WOS记录号 | WOS:000166359500014 |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/37077 |
专题 | 中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Y. C. Lan,X. L. Chen,Y. G. Cao,et al. Morphology of GaN in ammonia[J]. Journal of Materials Science Letters,2000,19(24):2215-2217. |
APA | Y. C. Lan.,X. L. Chen.,Y. G. Cao.,Y. P. Xu.,T. Xu.,...&J. Liang.(2000).Morphology of GaN in ammonia.Journal of Materials Science Letters,19(24),2215-2217. |
MLA | Y. C. Lan,et al."Morphology of GaN in ammonia".Journal of Materials Science Letters 19.24(2000):2215-2217. |
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