| 测量SiCf/Ti基复合材料界面微观残余应力的方法 |
| 张旭, 肖鹏, 杨青, 王玉敏, 雷家峰 and 杨锐
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| 2012-10-24
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2012-10-24
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及残余应力测量技术,为一种测量SiCf/Ti基复合材料界面微观残余应力的方法,首先确定原始SiC纤维C涂层中C原子拉曼吸收峰波数(v)随所受应力σ变化的线性关系,并标定出斜率k,然后分别测量SiCf/Ti基复合材料中受到残余应力作用和残余应力释放状态下的C涂层中C原子的拉曼吸收峰波数变化Δv,最后根据波数变化和已标定的斜率计算出纤维表面微观区域的残余应力。该方法的优点是可以直接测量到纤维表面的微观区域,并且分辨率较高,测试结果更准确,操作简单等优点。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN102749316A
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/65842
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张旭, 肖鹏, 杨青, 王玉敏, 雷家峰 and 杨锐. 测量SiCf/Ti基复合材料界面微观残余应力的方法[P]. 2012-10-24.
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