熔体直接发泡制备泡沫镁的方法 | |
杨院生, 周全, 李处森, 童文辉, 张宇男 and 胡壮麒 | |
2007-05-23 | |
专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
公开日期 | 2007-05-23 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明专利 |
摘要 | 本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域,特别涉及一种熔体直接 发泡制备泡沫镁的方法,包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工 艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金,将镁合金加热至700~730℃温度下熔 化,加入占镁合金质量5~30%的碳化硅颗粒,然后降至550℃~650℃的温度, 再加入占镁合金和碳化硅总质量2~20%的碳酸镁粉,碳酸镁粉高速搅拌时间为 1~10分钟,发泡温度为550℃~650℃,发泡结束后移出发泡炉,冷却降温, 切割成材。本发明工艺条件稳定,操作控制准确,制出的泡沫镁产品孔径均匀, 可生产不同密度,不同孔径的泡... |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN1966748 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66310 |
专题 | 中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨院生, 周全, 李处森, 童文辉, 张宇男 and 胡壮麒. 熔体直接发泡制备泡沫镁的方法[P]. 2007-05-23. |
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