| 一种MgO薄膜制备工艺 | |
| 闻立时, 卢春燕, 孙超 and 王铁钢 | |
| 2003-05-28 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2003-05-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及一种MgO薄膜制备工艺,它采用多弧离子镀法,用纯Mg作为阴极靶,阳极和真空室相连,阴极和阳极分别接在低压、大电流直流电源的负极和正极；装炉前先用HF酸清洗基体,装炉后将真空抽至8×10-3～2.0×10-2Pa,通入Ar气与H2,加高偏压500～700V,利用辉光放电对基体表面进行轰击,轰击时间为3～5min,用O2作反应气体,用Ar气作保护气体,氧气流量为160～270Sccm,并将Ar气的铜导气管末端做成圆形,其大小比Mg靶略大,将其靠近Mg靶,而O2的用导气管口则靠近基... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN1420202 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66466 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闻立时, 卢春燕, 孙超 and 王铁钢. 一种MgO薄膜制备工艺[P]. 2003-05-28. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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