| 一种MgO功能薄膜制备方法 |
| 闻立时, 卢春燕, 孙超 and 肖金泉
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| 2003-05-28
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2003-05-28
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明公开一种MgO功能薄膜制备方法,采用S-枪磁控溅射法,具体为：采用呈倒圆锥状的纯Mg作靶,HF酸清洗基体,装炉后将真空室抽至6～8×10-3Pa,以Ar气为保护气体,O2气为反应气体,通入Ar气与O2,使Ar气的导气管口靠近Mg靶,O2的导气管口靠近基体,工作参数：工作压强为4～8Pa,溅射电流为1～4A,获得厚度约为0.5～1μm、致密均匀的MgO功能薄膜。本发明具有经济、无公害,沉积速度快,可在低温下沉积晶粒细小、致密度高特点。 |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN1420201
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66467
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
闻立时, 卢春燕, 孙超 and 肖金泉. 一种MgO功能薄膜制备方法[P]. 2003-05-28.
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