| 一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法 |
| 张劲松, 田冲, 曹小明 and 杨振明
|
| 2012-09-12
|
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
|
| 公开日期 | 2012-09-12
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明专利
|
| 摘要 | 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法,该种纯质碳化硅过滤膜层具有高通孔隙率、低压降、强度高、抗热冲击性能好、使用温度高的特点,制备方法易于实现,能够保证产品性能。纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1～20μm,膜层孔隙率在25～50％之间。采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料,采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层,经干燥后,烧结得到纯质碳化硅膜层。本发明可在氧化气氛下使用,也可以在还原气氛下使用,耐酸、碱腐蚀性能强,可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净... |
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN102659447A
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66582
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
张劲松, 田冲, 曹小明 and 杨振明. 一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法[P]. 2012-09-12.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论