| 一种磁控管溅射装置 | |
| 肖金泉, 张小波, 孙超, 宫骏, 华伟刚, 石南林 and 闻立时 | |
| 2008-07-02 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2008-07-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及真空镀膜磁控溅射沉积技术,更具体地,涉及一种在真空溅射镀 膜时使用的溅射装置,包括：磁控管(1)和电磁线圈(6),彼此同轴相对放置, 其中电磁线圈(6)可以沿着磁控管(1)中心轴线远近移动。通过控制电磁线圈 (6)的电流大小及方向,和改变电磁线圈与磁控管的相对位置,可以方便有效地 改变磁控管和基片区域的磁场位形分布,改变基片区域的等离子体密度。此外当 电磁线圈(6)通以低频交流电时,靶材表面的刻蚀跑道变宽,刻蚀更均匀,可以 简单有效的提高靶材利用率,同时可以改善沉积薄膜的厚度和性能在空间上的不 均匀。本发明具有结构简单,方便、易... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN101210314 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66588 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖金泉, 张小波, 孙超, 宫骏, 华伟刚, 石南林 and 闻立时. 一种磁控管溅射装置[P]. 2008-07-02. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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