| 一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AIN阵列的方法 | |
| 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明 | |
| 2008-09-03 | |
| Rights Holder | 中国科学院金属研究所 |
| Date Available | 2008-09-03 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明专利 |
| Abstract | 一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法,按0.05-3.0 g/ml的浓度,将粒径为1-3um的催化剂颗粒均匀分散在共聚物溶液中,磁 力搅拌25-35分钟后形成均匀悬浮乳状液后将其均匀滴在硅片上,等硅片风 干后放入退火炉中在400℃-600℃情况下,通H2保温10-30分钟去除残余聚 合物,将种有催化剂颗粒的Si片,放入CVD炉中通NH3在800-1100℃情 况下,保温20-60分钟,将SiCl4注入炉中,反应结束后大量的花形Si掺杂 的AlN纳米针阵列从催化剂上长出... |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN101255064 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66600 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明. 一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AIN阵列的方法[P]. 2008-09-03. |
| Files in This Item: | There are no files associated with this item. | |||||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment