| 一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AIN阵列的方法 |
| 丛洪涛, 唐永炳 and 成会明
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| 2008-09-03
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2008-09-03
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AlN阵列的方法,按0.05-3.0 g/ml的浓度,将粒径为1-3um的催化剂颗粒均匀分散在共聚物溶液中,磁 力搅拌25-35分钟后形成均匀悬浮乳状液后将其均匀滴在硅片上,等硅片风 干后放入退火炉中在400℃-600℃情况下,通H2保温10-30分钟去除残余聚 合物,将种有催化剂颗粒的Si片,放入CVD炉中通NH3在800-1100℃情 况下,保温20-60分钟,将SiCl4注入炉中,反应结束后大量的花形Si掺杂 的AlN纳米针阵列从催化剂上长出... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101255064
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/66600
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
丛洪涛, 唐永炳 and 成会明. 一种催化剂“种子”法制备准一维掺杂AIN阵列的方法[P]. 2008-09-03.
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