| 一种利用严重塑性变形制备高强度高导电铜薄板的方法 | |
| 张勇, 陶乃镕 and 卢柯 | |
| 2008-12-17 | |
| 专利权人 | 中国科学院金属研究所 |
| 公开日期 | 2008-12-17 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 摘要 | 本发明涉及高度强高导电铜薄板的制备,特别是利用严重塑性变形技术制备超 高强度和高导电铜薄板的一种方法。该方法分别利用低温动态高速变形和室温准 静态低速变形两种技术。动态高速变形速率为102-104s-1,变形量为1.8-2.5(计 算方法：ε1＝lnH0/H),变形温度-196℃至-100℃；准静态低速变形速率为10-3-10-2 s-1,变形量为10％-97％(计算方法：ε2<... |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN101323937 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67214 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张勇, 陶乃镕 and 卢柯. 一种利用严重塑性变形制备高强度高导电铜薄板的方法[P]. 2008-12-17. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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