一种纳米层状Ta<sub>2</sub>AlC陶瓷粉体及其制备方法

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	一种纳米层状Ta₂AlC陶瓷粉体及其制备方法
	周延春, 胡春峰 and 包亦望
	2008-03-19
专利权人	中国科学院金属研究所
公开日期	2008-03-19
授权国家	中国
专利类型	发明专利
摘要	本发明涉及单相纳米层状陶瓷粉体及制备方法,具体为一种原位反应制备纳米层状Ta₂AlC陶瓷粉体及其制备方法。所述纳米层状Ta₂AlC陶瓷属六方晶系, 空间群为P6₃/mmc,单胞晶格常数a为3.08,c为13.85。它是优良的热电导体,可以作为金属基复合材料的增强相,也可以作为陶瓷基复合材料的弱界面相提高韧性,具有实际应用价值。单相Ta₂AlC粉体具体制备方法是：首先,以钽粉、铝粉、石墨粉为原料,干燥条件下在树脂罐中球磨5～30小时,过筛后装入石墨 ...
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN101143789
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67274
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周延春, 胡春峰 and 包亦望. 一种纳米层状Ta₂AlC陶瓷粉体及其制备方法[P]. 2008-03-19.