| 一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法 |
| 谭军, 张磊, 张广平 and 谢天生
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| 2008-05-07
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| 专利权人 | 中国科学院金属研究所
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| 公开日期 | 2008-05-07
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明专利
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| 摘要 | 本发明涉及一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法,属于利用双 束聚焦离子束系统加工表征界面从而实现背散射成像方法,采用双倾转样品台固 定表征样品进行离子束制备表征界面和实现背散射成像。在聚焦离子束系统中将 样品固定,需要制备表征的部位向侧面放置；利用二次电子成像对样品高度进行 校准识别,聚焦样品上表面；打开离子束,进行双束对中处理,保持离子束加工 位置和电子束观测位置的统一；采用离子束大束流预加工表征界面,采用小束流 精加工制备完毕样品需表征界面；旋转副倾转台,离子束加工界面与入射电子束 的垂直,启用背散射探测器实现背散射电子界面表... |
| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN101173881
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/67735
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
谭军, 张磊, 张广平 and 谢天生. 一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法[P]. 2008-05-07.
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