| C-SiC共沉积基体氧化行为研究 | |
| 邓景屹; 刘文川; 杜海峰 | |
| 1998-09-09 | |
| 会议名称 | 第17届炭-石墨材料学术会议 |
| 会议录名称 | 第17届炭--石墨材料学术会论文集 |
| 会议日期 | 1998-09-09 |
| 会议地点 | 太原 |
| 出版地 | 北京 |
| 出版者 | 中国电工技术学会 |
| 摘要 | 该研究比较了Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为。实验结果表明ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少了碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材料的氧化失重速率。利用ＳＥＭ观察了梯度基复合材料微观氧化过程。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所(沈阳) |
| 关键词 | 梯度基 复合材料 共沉积 氧化防护 炭/炭 |
| 主办者 | 中国电工技术学会 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69860 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓景屹,刘文川,杜海峰. C-SiC共沉积基体氧化行为研究[C]. 北京:中国电工技术学会,1998. |
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