| 直流反应溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜 | |
| 陆峰; 徐成海; 裴志亮; 闻立时 | |
| 2001-10-16 | |
| 会议名称 | 中国真空学会五届三次理事会暨学术会议 |
| 会议录名称 | 《真空科学与技术》/Vol.22 2002增刊 |
| 会议日期 | 2001-10-16 |
| 会议地点 | 北京 |
| 出版地 | 北京 |
| 出版者 | 《真空科学与技术》杂志社 |
| 摘要 | 本文对直流磁控反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能的影响. |
| 部门归属 | 东北大学(沈阳);中国科学院金属研究所(沈阳); |
| 关键词 | 导电薄膜 磁控溅射法 制备方法 光学性能 |
| 主办者 | 中国真空学会 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69960 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆峰,徐成海,裴志亮,等. 直流反应溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜[C]. 北京:《真空科学与技术》杂志社,2001. |
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