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循环形变单晶体驻留滑移带的演化
杨继红; 李守新; 李勇; 柯伟
2002-10-14
会议名称第十一届全国疲劳和断裂学术会议
会议录名称疲劳、断裂、工程设计(2002)
会议日期2002-10-14
会议地点西安
出版地北京
出版者机械工业出版社
摘要采用三维离散位错静力学方法,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术对单滑移取向疲劳Cu单晶驻留滑移带(PSBs)形成位错结构的演化进行观察的结果,对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布鞋.由计算机模拟和对内应力场的计算分析对PSBs演化给出了一个新的可能的演化机制.
部门归属中国科学院金属研究所
关键词循环形变cu单晶 驻留滑移带 模拟 内应力场 疲劳损伤 扫描电镜电子通道衬度
主办者中国机械工程学会;中国金属学会;中国材料研究学会;中国航空学会;中国腐蚀与防护学会;中国力学学会
语种中文
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/69995
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
杨继红,李守新,李勇,等. 循环形变单晶体驻留滑移带的演化[C]. 北京:机械工业出版社,2002.
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