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半导体材料的平面波赝势方法计算设计
王绍青; 叶恒强
2002-10-01
Conference Name2002年中国材料研讨会
Source Publication2002年材料科学与工程新进展
Conference Date2002-10-01
Conference Place北京
Publication Place北京
Publisher冶金工业出版社
Abstract采用平面波赝势方法和扰动近似计算对所有可能的具有闪锌矿和纤锌矿结构的二元Ⅲ-Ⅴ与Ⅳ族半导体材料的原子结构、力学、电子与声子振动性质进行了系统研究.计算结果与已知材料的有关实验结果高精度符合,并对潜在新材料的性质进行了预测.
description.department中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室(沈阳)
Keyword平面波赝势 固体能带 声子色散 半导体材料 计算设计
Funding Organization中国材料研究学会
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70022
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
王绍青,叶恒强. 半导体材料的平面波赝势方法计算设计[C]. 北京:冶金工业出版社,2002.
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