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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: 半导体材料的平面波赝势方法计算设计
作者: 王绍青;  叶恒强
出版日期: 2002-10-1
会议日期: 2002-10-01
摘要: 采用平面波赝势方法和扰动近似计算对所有可能的具有闪锌矿和纤锌矿结构的二元Ⅲ-Ⅴ与Ⅳ族半导体材料的原子结构、力学、电子与声子振动性质进行了系统研究.计算结果与已知材料的有关实验结果高精度符合,并对潜在新材料的性质进行了预测.
会议名称: 2002年中国材料研讨会
会议文集: 2002年材料科学与工程新进展
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_会议论文

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王绍青,叶恒强. 半导体材料的平面波赝势方法计算设计[C]. 2002年材料科学与工程新进展.北京.冶金工业出版社.2002.
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