| 斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响 |
| 周耐根; 周浪; 朱圣龙
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| 2002-10-01
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| 会议名称 | 2002年中国材料研讨会
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| 会议录名称 | 2002年材料科学与工程新进展
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| 会议日期 | 2002-10-01
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| 会议地点 | 北京
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| 出版地 | 北京
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| 出版者 | 冶金工业出版社
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| 摘要 | 运用分子动力学方法建立了溅射沉积铜薄膜外延生长的三维模型,铜原子间作用势函数采用Finnis-Sinclair型原子镶嵌法(EAM)势函数;沉积原子入射角分布采用一般金属溅射中常见的余弦分布,就入射角对薄膜结构的影响进行了模拟实验研究.结果表明:斜入射的引入都使薄膜沉积相对于简单垂直入射时表面粗糙度增大,同时堆垛密度减小,且两种入射条件下堆垛密度都随沉积层高度增加而减小,反映出典型的原子自阴影效应作用的结果;斜入射的引入还使膜内空位和孪晶缺陷增多.对斜入射和垂直入射沉积的单原子的动能、势能及其轨迹进行了跟踪分析和比较,并结合上述结果进行了讨论. |
| 部门归属 | 南昌大学化学与材料科学学院(南昌);中国科学院金属研究所腐蚀与防护国家重点实验室(沈阳);
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| 关键词 | 入射角
分子动力学
铜薄膜
物理气相沉积
薄膜结构
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| 主办者 | 中国材料研究学会
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 会议论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70024
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
周耐根,周浪,朱圣龙. 斜入射对物理气相沉积铜膜结构的影响[C]. 北京:冶金工业出版社,2002.
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