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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: TiN/MgO(001)界面结构研究
作者: 陈东;  马秀良
出版日期: 2004-8-20
会议日期: 2004-08-20
摘要: 界面结构对功能薄膜材料的性能起着至关重要的作用.由于界面结合涉及大量原子以及界面间作用的复杂性,因此对薄膜材料的研究不仅要注重其显微结构和界面原子像,而且还要关注其界面的电子结构和性质.TiN薄膜具有诸如高熔点、超硬度、良好的电、热传导性等诱人的特性,是一种很有潜在应用价值的功能材料.本文通过JEOL2010高分辨电子显微镜和第一原理平面波赝势方法,分别对以外延生长TiN/MgO界面的显微结构和电子结构进行了研究.
会议名称: 第十三届全国电子显微学会议
KOS主题词: Electron microscopes
会议文集: 电子显微学报/2004.4
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陈东,马秀良. Tin/mgo(001)界面结构研究[C]. 电子显微学报/2004.4.北京.《电子显微学报》编辑部.2004.
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