Advanced   Register
IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: SiCf/Ti复合材料界面反应区长大研究
作者: 张国兴;  石南林;  雷家峰;  张德志;  李东;  杨锐;  吴维
出版日期: 2005-10
会议日期: 2005-10
摘要: 本文研究了SiC/Ti复合材料界面反应区厚度与热暴露温度、时间的关系,确定了界面反应区的长大规律.结果表明,在同一温度下,界面反应区厚度与热暴露时间呈抛物线关系,反应区长大是扩散控制的,即.x=kt1/2+x0,温度越高,界面反应区长大速度越快,反应区长大速率常数与温度之间遵循Arrhenius定律.
会议名称: 第十二届全国钛及钛合金学术交流会
KOS主题词: composite material;  Composite;  Composite materials
会议文集: 稀有金属材料与工程
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_会议论文

Files in This Item:

There are no files associated with this item.




Recommended Citation:
张国兴,石南林,雷家峰,等. Sicf/ti复合材料界面反应区长大研究[C]. 稀有金属材料与工程.2005.
Service
 Recommend this item
 Sava as my favorate item
 Show this item's statistics
 Export Endnote File
Google Scholar
 Similar articles in Google Scholar
 [张国兴]'s Articles
 [石南林]'s Articles
 [雷家峰]'s Articles
CSDL cross search
 Similar articles in CSDL Cross Search
 [张国兴]‘s Articles
 [石南林]‘s Articles
 [雷家峰]‘s Articles
Scirus search
 Similar articles in Scirus
Related Copyright Policies
Null
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论
 
评注功能仅针对注册用户开放,请您登录
您对该条目有什么异议,请填写以下表单,管理员会尽快联系您。
内 容:
Email:  *
单位:
验证码:   刷新
您在IR的使用过程中有什么好的想法或者建议可以反馈给我们。
标 题:
 *
内 容:
Email:  *
验证码:   刷新

Items in IR are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

 

Valid XHTML 1.0!
Copyright © 2007-2016  中国科学院金属研究所  -Feedback
Powered by CSpace