| SiCf/Ti复合材料界面反应区长大研究 | |
| 张国兴; 石南林; 雷家峰; 张德志; 李东; 杨锐; 吴维 | |
| 2005-10 | |
| 会议名称 | 第十二届全国钛及钛合金学术交流会 |
| 会议录名称 | 稀有金属材料与工程 |
| 会议日期 | 2005-10 |
| 会议地点 | 西安 |
| 摘要 | 本文研究了SiC/Ti复合材料界面反应区厚度与热暴露温度、时间的关系,确定了界面反应区的长大规律.结果表明,在同一温度下,界面反应区厚度与热暴露时间呈抛物线关系,反应区长大是扩散控制的,即.x=kt1/2+x0,温度越高,界面反应区长大速度越快,反应区长大速率常数与温度之间遵循Arrhenius定律. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016 |
| 关键词 | 复合材料 界面反应 热暴露 扩散控制 |
| 主办者 | 中国有色金属学会 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70375 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张国兴,石南林,雷家峰,等. SiCf/Ti复合材料界面反应区长大研究[C],2005. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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