IMR OpenIR
外加电磁直流磁控溅射法低温沉积ZnO:Al薄膜的研究
张小波; 裴志亮; 肖金泉; 宫骏; 孙超
2006-09
会议名称2006北京国际材料周暨中国材料研讨会
会议录名称2006北京国际材料周暨中国材料研讨会
会议日期2006-09
会议地点北京
摘要采用外加电磁线圈直流磁控溅射法低温制备了ZnO:Al透明导电薄膜,研究了不同沉积参数对AZO薄膜电学性能的影响.通过改变外加同轴线圈磁场来改变基片处等离子体密度,并用Langmuir探针进行了测量.研究结果表明:低温沉积(<100℃)时,增加基片区域等离子体密度可以显著改善AZO薄膜的电阻率及其空间均匀性,同时也改善了表面形貌,并对其机理进行了分析。
部门归属中国科学院金属研究所材料表面工程研究部,沈阳,110016
关键词透明导电薄膜 直流磁控溅射法 电磁线圈 低温沉积 电阻率
主办者中国材料研究学会
语种中文
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70497
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张小波,裴志亮,肖金泉,等. 外加电磁直流磁控溅射法低温沉积ZnO:Al薄膜的研究[C],2006.
条目包含的文件
条目无相关文件。
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[张小波]的文章
[裴志亮]的文章
[肖金泉]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[张小波]的文章
[裴志亮]的文章
[肖金泉]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[张小波]的文章
[裴志亮]的文章
[肖金泉]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。