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ZnGeN2晶体的结构和物性表征
杜奎; Bekele C; Hayman C C; Pirouz P; Kash K
2006-08-26
Conference Name2006年全国电子显微学会议
Source Publication电子显微学报
Conference Date2006-08-26
Conference Place沈阳
AbstractZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV,而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系.此外,ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一,也有可能作为GaN晶体生长的基体.但是,目前对ZnGeN2晶体生长,结构和物理性能研究的报道较少.早期报道中曾经通过Zn与Ge3N2或者ZnGeO4与NH3的反应得到ZnGeN2晶体.此后,也有通过Zn、Ge与Cl2-N2-HCl混合气体反应;Zn3N2与Ge3N4的高压反应;溅射沉积或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法得到ZnGeN2晶体.这里,本文使用NH3与Zn、Ge金属的蒸汽进行气相反应的方法生成ZnGeN2,并对其结构和物理性能进行了表征。
description.department中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁,沈阳,110016;Case Western Reserve University, 10900 Euclid Avenue, Cleveland, OH 44106, USA;
KeywordZngen2晶体 晶体结构 带隙宽度 溅射沉积 物理性能表征
Funding Organization中国物理学会
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70513
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
杜奎,Bekele C,Hayman C C,等. ZnGeN2晶体的结构和物性表征[C],2006.
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