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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: ZnGeN2晶体的结构和物性表征
作者: 杜奎;  Bekele C;  Hayman C C;  Pirouz P;  Kash K
出版日期: 2006-8-26
会议日期: 2006-08-26
摘要: ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV,而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系.此外,ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一,也有可能作为GaN晶体生长的基体.但是,目前对ZnGeN2晶体生长,结构和物理性能研究的报道较少.早期报道中曾经通过Zn与Ge3N2或者ZnGeO4与NH3的反应得到ZnGeN2晶体.此后,也有通过Zn、Ge与Cl2-N2-HCl混合气体反应;Zn3N2与Ge3N4的高压反应;溅射沉积或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法得到ZnGeN2晶体.这里,本文使用NH3与Zn、Ge金属的蒸汽进行气相反应的方法生成ZnGeN2,并对其结构和物理性能进行了表征。
会议名称: 2006年全国电子显微学会议
KOS主题词: biological specimen preparation
会议文集: 电子显微学报
Appears in Collections:中国科学院金属研究所_会议论文

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杜奎,Bekele C,Hayman C C,等. Zngen2晶体的结构和物性表征[C]. 电子显微学报.2006.
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