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题名: 中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化
作者: 廖国进;  巴德纯;  闻立时;  刘斯明;  阎绍峰
出版日期: 2007-6-16
会议日期: 2007-06-16
摘要: 中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用.采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能.本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1%,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9%.结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光.
会议名称: 第八届真空冶金与表面工程学术会议
会议文集: 真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集
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廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射法制备al2o3:ce3+发光薄膜工艺条件优化[C]. 真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集.2007.
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