中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化

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	中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化
	廖国进; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰
	2007-06-16
会议名称	第八届真空冶金与表面工程学术会议
会议录名称	真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集
会议日期	2007-06-16
会议地点	沈阳
摘要	中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用.采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能.本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1％,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9％.结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光.
部门归属	东北大学,机械与自动化学院,辽宁,沈阳,110004;辽宁工学院,机械与自动化学院,辽宁,锦州,121001;东北大学,机械与自动化学院,辽宁,沈阳,110004;中国科学院金属研究所,表面工程部,辽宁,沈阳,110016;北京航空航天大学,机械与自动化学院,北京,100083;辽宁工学院,机械与自动化学院,辽宁,锦州,121001;
关键词	磁控溅射三氧化二铝发光薄膜正交试验中频反应磁控溅射技术
主办者	中国真空学会
语种	中文
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70517
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	廖国进,巴德纯,闻立时,等. 中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化[C],2007.