| Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究 |
| 郑士建; 艾延龄; 马秀良
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| 2006-08-26
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| 会议名称 | 2006年全国电子显微学会议
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| 会议录名称 | 电子显微学报
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| 会议日期 | 2006-08-26
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| 会议地点 | 沈阳
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| 摘要 | BaTiO3是一种重要的电子陶瓷.经过少量Y掺杂的BaTiO3具有正的温度电阻系数(PTCR),可以用作热敏器件.经研究证实PTCR效应只出现在大晶粒中,但异常长大在BaTiO3基陶瓷中是一种常见的现象,而且异常长大的晶粒会抑制基体晶粒的生长.所以有必要对BaTiO3中异常长大方式进行研究,以获得均匀的晶粒尺度.Park等人认为BaTiO3以二维形核的方式长大,其长大速度受界面反应控制.本文通过高分辨透射电子显微镜对异常长大晶界进行研究,通过直接观察证实了上述长大机理。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁,沈阳,110016
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| 关键词 | Bato3
电子陶瓷
异常长大
电子显微镜
Ptcr效应
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| 主办者 | 中国物理学会
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 会议论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70522
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑士建,艾延龄,马秀良. Y掺杂BaTO3中异常长大机理的TEM研究[C],2006.
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