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题名: 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜表面形貌的影响
作者: 王贺权;  巴德纯;  沈辉;  闻立时
出版日期: 2007-6-16
会议日期: 2007-06-16
摘要: 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,为将来应用磁控溅射方法制备TiO2染料敏化太阳电池总结数据.通过扫描电子显微镜发现当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为120℃的条件下,制备的TiO2薄膜的表面形貌呈现为疏松多孔的特性.因此是最有可能制备TiO2染料敏化太阳电池的工艺条件.
会议名称: 第八届真空冶金与表面工程学术会议
会议文集: 真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集
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王贺权,巴德纯,沈辉,等. 直流反应磁控溅射相关工艺条件对tio2薄膜表面形貌的影响[C]. 真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集.2007.
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