直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜表面形貌的影响

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	直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜表面形貌的影响
	王贺权; 巴德纯; 沈辉; 闻立时
	2007-06-16
会议名称	第八届真空冶金与表面工程学术会议
会议录名称	真空冶金与表面工程--第八届真空冶金与表面工程学术会议论文集
会议日期	2007-06-16
会议地点	沈阳
摘要	应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,为将来应用磁控溅射方法制备TiO2染料敏化太阳电池总结数据.通过扫描电子显微镜发现当总压强为2×10-1Pa、O2流量为15sccm、靶基距为190mm、温度为120℃的条件下,制备的TiO2薄膜的表面形貌呈现为疏松多孔的特性.因此是最有可能制备TiO2染料敏化太阳电池的工艺条件.
部门归属	沈阳航空工业学院,沈阳,110034;东北大学,沈阳,110004;东北大学,沈阳,110004;中山大学,广州,510275;中国科学院金属研究所,沈,110016;
关键词	直流反应磁控溅射二氧化钛染料敏化太阳电池表面形貌二氧化钛薄膜
主办者	中国真空学会
语种	中文
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70532
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王贺权,巴德纯,沈辉,等. 直流反应磁控溅射相关工艺条件对TiO2薄膜表面形貌的影响[C],2007.