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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响
作者: 魏薇;  曹小明;  张劲松
出版日期: 2007-11-15
会议日期: 2007-11-15
摘要: 采用可控溶渗反应烧结法制备了致密SiC陶瓷,研究了不同Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响。经研究发现,反应烧结SiC陶瓷中Si的存在使SiC陶瓷的电阻率急剧下降,大大改善了SiC陶瓷的电学性能;同时Si也改变了SiC陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势,即没有添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大,而添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小;总的来看,随着Si含量的增加,SiC陶瓷的塞贝克系数和电导率不断增大,因此SiC陶瓷的功率因子不断提高,而且随着温度的升高,Si含量对SiC陶瓷热电优值的影响越来越明显。当含量为15%时,材料的热电优值是SiC烧结体的30倍.
会议名称: 第六届中国功能材料及其应用学术会议
会议文集: 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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魏薇,曹小明,张劲松. Si含量对反应烧结sic陶瓷热电性能的影响[C]. 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2007.
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