| Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响 |
| 魏薇; 曹小明; 张劲松
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| 2007-11-15
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| 会议名称 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议
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| 会议录名称 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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| 会议日期 | 2007-11-15
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| 会议地点 | 武汉
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| 摘要 | 采用可控溶渗反应烧结法制备了致密SiC陶瓷,研究了不同Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响。经研究发现,反应烧结SiC陶瓷中Si的存在使SiC陶瓷的电阻率急剧下降,大大改善了SiC陶瓷的电学性能；同时Si也改变了SiC陶瓷塞贝克系数随温度的变化趋势,即没有添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐增大,而添加Si元素的SiC陶瓷的塞贝克系数随温度的升高逐渐减小；总的来看,随着Si含量的增加,SiC陶瓷的塞贝克系数和电导率不断增大,因此SiC陶瓷的功率因子不断提高,而且随着温度的升高,Si含量对SiC陶瓷热电优值的影响越来越明显。当含量为15％时,材料的热电优值是SiC烧结体的30倍. |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016
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| 关键词 | 反应烧结
Sic陶瓷
塞贝克系数
热电优值
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| 主办者 | 中国仪器仪表学会;中国物理学会;中国光学学会
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 会议论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70572
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
魏薇,曹小明,张劲松. Si含量对反应烧结SiC陶瓷热电性能的影响[C],2007.
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