AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

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	AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
	闫鹏飞; 隋曼龄
	2008-11-30
会议名称	第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议录名称	第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
会议日期	2008-11-30
会议地点	广州
摘要	对用化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽约300-700 nm,长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{11-22}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。
部门归属	中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,沈阳 110016
关键词	氮化镓异质结化学气相沉积法蓝宝石衬底紫外光发光二极管位错滑移带状缺陷发光性能
主办者	中国电子学会;广州市科协
语种	中文
文献类型	会议论文
条目标识符	http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70785
专题	中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	闫鹏飞,隋曼龄. AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征[C],2008.