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空气氧化选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管
于冰; 侯鹏翔; 刘畅; 成会明
2009-10
会议名称第九届全国新型炭材料学术研讨会
会议录名称第九届全国新型炭材料学术研讨会论文集
会议日期2009-10
会议地点厦门
摘要我们报道一种简单有效选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管的方法。该方法为在空气中高温氧化浮动催化化学气相沉积法制备的单壁碳纳米管薄膜。经氧化处理后,金属性和小直径的单壁碳纳米管基本被刻蚀掉,剩余产物为直径大于1.3 nm的半导体性单壁碳纳米管。这种尺度的半导体性单壁碳纳米管适用于构建纳米电子器件。
部门归属中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 沈阳 110016
关键词单壁碳纳米管 选择性刻蚀 空气氧化 化学气相沉积法 纳米电子器件
主办者中国科学院山西煤炭化学研究所
语种中文
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70850
专题中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
于冰,侯鹏翔,刘畅,等. 空气氧化选择性刻蚀金属性单壁碳纳米管[C],2009.
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