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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: Er2O3/Si薄膜界面层研究
作者: 汪雪;  朱银莲;  马秀良
出版日期: 2010-10-8
会议日期: 2010-10-08
摘要: @@在半导体器件领域,稀土氧化物Erz0,由于具有高的介电常数、大的带隙、与Si又有大的能带偏移、漏电流小以及良好的界面热稳定性,是替代栅介质氧化硅的理想材料。然而,通常在稀土族氧化物生长过程中会有一层界面层,与生长的氧化物层组成串联电路,如果这一界面层的介电常数低且较厚,就会影响整体薄膜的电容。本文利用透射电子显微技术(TEM)研究了用激光分子外延(Laser-MBE)法在Si(001)衬底上生长的的Er2O3薄膜。研究发现在Er203与Si界面存在一个原子排列混乱的约2 nm厚的界面层,与通常具有较低的介电常数的氧化硅非晶界面层不同,这一界面层的成分主要是Er和0.以及少量的Si。
会议名称: 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会
会议文集: 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会论文集
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汪雪,朱银莲,马秀良. Er2o3/si薄膜界面层研究[C]. 2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会论文集.2010.
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