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Er2O3/Si薄膜界面层研究
汪雪; 朱银莲; 马秀良
2010-10-08
Conference Name2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会
Source Publication2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会论文集
Conference Date2010-10-08
Conference Place杭州
Abstract@@在半导体器件领域,稀土氧化物Erz0,由于具有高的介电常数、大的带隙、与Si又有大的能带偏移、漏电流小以及良好的界面热稳定性,是替代栅介质氧化硅的理想材料。然而,通常在稀土族氧化物生长过程中会有一层界面层,与生长的氧化物层组成串联电路,如果这一界面层的介电常数低且较厚,就会影响整体薄膜的电容。本文利用透射电子显微技术(TEM)研究了用激光分子外延(Laser-MBE)法在Si(001)衬底上生长的的Er2O3薄膜。研究发现在Er203与Si界面存在一个原子排列混乱的约2 nm厚的界面层,与通常具有较低的介电常数的氧化硅非晶界面层不同,这一界面层的成分主要是Er和0.以及少量的Si。
description.department中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁 沈阳 110016
Keyword半导体器件 稀土氧化物 硅衬底
Funding Organization中国物理学会
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70984
Collection中国科学院金属研究所
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GB/T 7714
汪雪,朱银莲,马秀良. Er2O3/Si薄膜界面层研究[C],2010.
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