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氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响
陆峰; 徐成海; 闻立时; 吴玉厚
2010-05
Conference Name第九届全国光电技术学术交流会
Source Publication第九届全国光电技术学术交流会论文集
Conference Date2010-05
Conference Place北京
Abstract采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZAO薄膜,研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的氧、氩分压制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率>85%,最低电阻率为4.5×10-4Ωcm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求.
description.department沈阳建筑大学 交通与机械工程学院,辽宁 沈阳 110168;东北大学 机械工程与自动化学院,辽宁 沈阳 110004;中国科学院金属研究所,辽宁 沈阳 110015;
KeywordZao薄膜 直流反应溅射 氧分压 氩分压
Funding Organization中国宇航学会;中国航空学会;中国兵工学会;中国光学学会;中国电子学会
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70995
Collection中国科学院金属研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
陆峰,徐成海,闻立时,等. 氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响[C],2010.
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