| 氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响 | |
| 陆峰; 徐成海; 闻立时; 吴玉厚 | |
| 2010-05 | |
| 会议名称 | 第九届全国光电技术学术交流会 |
| 会议录名称 | 第九届全国光电技术学术交流会论文集 |
| 会议日期 | 2010-05 |
| 会议地点 | 北京 |
| 摘要 | 采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最佳的氧、氩分压制备参数，利用该参数制备ZAO薄膜，能够获得在可见光范围内的平均透射率>85％，最低电阻率为4.5×10-4Ωcm的ZAO薄膜，其光电性能均满足应用需求. |
| 部门归属 | 沈阳建筑大学 交通与机械工程学院,辽宁 沈阳 110168;东北大学 机械工程与自动化学院,辽宁 沈阳 110004;中国科学院金属研究所,辽宁 沈阳 110015; |
| 关键词 | Zao薄膜 直流反应溅射 氧分压 氩分压 |
| 主办者 | 中国宇航学会;中国航空学会;中国兵工学会;中国光学学会;中国电子学会 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/70995 |
| 专题 | 中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆峰,徐成海,闻立时,等. 氧、氩分压对直流反应溅射制备ZAO薄膜的性能影响[C],2010. |
| 条目包含的文件 | 条目无相关文件。 | |||||
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