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IMR OpenIR  > 中国科学院金属研究所  > 会议论文

题名: 频比对AZ91D镁合金微弧氧化膜的影响
作者: 郑俊军;  曹发和;  冷文华;  常林荣;  张鉴清
出版日期: 2011-8-21
会议日期: 2011-08-21
摘要: 碱性硅酸盐溶液中,AZ91D 镁合金在不同的频比(1 ,5 ,25 )下进行微弧氧化成膜。频比 FR 是正脉冲频率与负脉冲频率的比值,频比的变化改变了反应过程中脉冲的分布及持续时间,进而影 响MAO 过程施加的能量,导致生成的氧化膜厚度,形貌和均匀度随频比发生显著变化。频比为1 时 生成的MAO 膜更均匀,孔隙率小且膜厚;随频比的增加,得到的氧化膜变得更加多孔,减薄且均匀 度增加;频比的增加导致两个正脉冲间的间隔减小,正周期熔融氧化物不能充分固化,导致形成更多 的放电通道,使得生成的MAO 膜微孔及裂纹增加;同时阴极脉冲的延长致使未充分固化的氧化物不 仅更多的被溶解,而且被阴极反应产生的气体带走量也增加,在氧化膜表面形成许多小坑,导致氧化 减薄且粗糙度增加。频比的变化对MAO 膜内部结构影响不大,膜层的保护性受频比的影响较小。
会议名称: 第六届全国腐蚀大会
KOS主题词: Microarc Oxidation 
会议文集: 第六届全国腐蚀大会论文集
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郑俊军,曹发和,冷文华,等. 频比对az91d镁合金微弧氧化膜的影响[C]. 第六届全国腐蚀大会论文集.2011.
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