| 元素掺杂对Bi 电迁移影响的第一原理计算 |
| 庞学永; 刘志权; 王绍青; 尚建库
|
| 2010-06-19
|
| 会议名称 | 2010中国材料研讨会
|
| 会议录名称 | 2010中国材料研讨会论文集
|
| 会议日期 | 2010-06-19
|
| 会议地点 | 长沙
|
| 摘要 | 本工作应用第一原理方法研究了如何通过添加掺杂元素抑制SnBi 焊料中的Bi 的电迁移问题。在 SnBi 体系中掺杂Zn 和Sb 元素，通过用NEB 方法计算了掺杂体系中Bi 元素的扩散能垒。加入Sb 之后，Bi 的扩散能垒由原来的0.32eV 升高到了0.46eV，扩散激活能由原来的1.14eV 升高到了1.18eV。加入Zn 之 后，Bi 的扩散能垒由原来的0.32eV 升高到了0.48eV，扩散激活能由原来的1.14eV 升高到了1.22eV。由 此可得，Zn 和Sb 的加入都能够升高Bi 的扩散激活能，起到抑制扩散的作用。通过分析态密度可知，Zn 和 Sb 加入后，体系中Sb 与Bi 的p 态曲线几乎完全重合，要比Sn 与Bi 的p 态曲线重合度高很多，表明Sb 和Bi 的共价键作用很强，且比Sn-Bi 的共价键作用强，从而增加了Bi 的扩散能垒。分析Zn 和Bi 的态密 度曲线可知，同样Zn 和Bi 的p 态曲线重合度也要比Sn 和Bi 的曲线重合度高很多，表明Zn-Bi 的共价键 同样要比Sn-Bi 的共价键强，所以Zn 的加入同样增加了Bi 的扩散能垒。总结说来，Sb 和Zn 的掺杂能够 抑制SnBi 焊料中的Bi 的电迁移。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所，沈阳市，辽宁省，110016
|
| 关键词 | 第一原理
电迁移
Snbi 无铅焊料
元素掺杂
|
| 主办者 | 中国材料研究学会
|
| 语种 | 中文
|
| 文献类型 | 会议论文
|
| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71085
|
| 专题 | 中国科学院金属研究所
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
庞学永,刘志权,王绍青,等. 元素掺杂对Bi 电迁移影响的第一原理计算[C],2010.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论