| 放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响 |
| 程华; 钱永产; 薛军; 吴爱民; 石南林
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| 2013-06-25
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| 发表期刊 | 材料研究学报
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| 期号 | 3页码:307-311 |
| 摘要 | 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法制备微晶硅薄膜,研究了放电气体对薄膜沉积速率、薄膜中H含量、择优取向和结晶度的影响。结果表明,以Ar作为放电气体时薄膜沉积速率比以H2作为放电气体时高1.5—2倍,但是薄膜的结晶度较低;以Ar作为放电气体时薄膜的H含量比以H2作为放电气体时的薄膜低;放电气体对薄膜的择优取向和晶粒度没有显著的影响。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所
; 中国人民解放军装甲兵技术学院
; 大连理工大学
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| 关键词 | 材料合成与加工工艺
微晶硅薄膜
Ecr-pecvd
放电气体
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| 语种 | 中文
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/71858
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
程华,钱永产,薛军,等. 放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响[J]. 材料研究学报,2013(3):307-311.
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| APA |
程华,钱永产,薛军,吴爱民,&石南林.(2013).放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响.材料研究学报(3),307-311.
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| MLA |
程华,et al."放电气体对ECR-PECVD法制备微晶硅薄膜的影响".材料研究学报 .3(2013):307-311.
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