基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响

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题名:	基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响
作者:	郭泉忠; 杜克勤; 朱秀荣; 徐永东; 王荣; 王福会
发表日期:	2013-11-30
摘要:	采用致密化微弧氧化技术在Mg-Gd-Y,AZ 91D和ZM 6三种镁合金表面制备微弧氧化膜。通过电化学阻抗谱(EIS)、扫描电镜(SEM)等手段,比较了在三种镁合金表面制备的微弧氧化膜的致密性。三种镁合金微弧氧化膜的致密性依次为:Mg-Gd-Y>AZ 91D>ZM 6。可见,基体对微弧氧化膜具有重要的影响。该影响主要是由各合金上微弧氧化膜的PBR值(即氧化物与形成该氧化物所消耗的金属的体积比)不同所导致的,PBR值越高,微弧氧化膜越致密。
刊名:	电镀与环保
Appears in Collections:	中国科学院金属研究所_期刊论文

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郭泉忠,杜克勤,朱秀荣,等. 基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响[J]. 电镀与环保,2013(6):29-32.

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