| 基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响 | |
| 郭泉忠; 杜克勤; 朱秀荣; 徐永东; 王荣; 王福会 | |
| 2013-11-30 | |
| Source Publication | 电镀与环保
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| Issue | 6Pages:29-32 |
| Abstract | 采用致密化微弧氧化技术在Mg-Gd-Y,AZ 91D和ZM 6三种镁合金表面制备微弧氧化膜。通过电化学阻抗谱(EIS)、扫描电镜(SEM)等手段,比较了在三种镁合金表面制备的微弧氧化膜的致密性。三种镁合金微弧氧化膜的致密性依次为:Mg-Gd-Y>AZ 91D>ZM 6。可见,基体对微弧氧化膜具有重要的影响。该影响主要是由各合金上微弧氧化膜的PBR值(即氧化物与形成该氧化物所消耗的金属的体积比)不同所导致的,PBR值越高,微弧氧化膜越致密。 |
| description.department | 中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室 ; 中国兵器科学研究院宁波分院 |
| Keyword | 镁合金 微弧氧化 致密性 电化学阻抗谱 Pbr |
| Language | 中文 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/72292 |
| Collection | 中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 郭泉忠,杜克勤,朱秀荣,等. 基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响[J]. 电镀与环保,2013(6):29-32. |
| APA | 郭泉忠,杜克勤,朱秀荣,徐永东,王荣,&王福会.(2013).基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响.电镀与环保(6),29-32. |
| MLA | 郭泉忠,et al."基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响".电镀与环保 .6(2013):29-32. |
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