| 镁合金微弧氧化技术的研究进展 |
| 董凯辉; 宋影伟; 单大勇; 孙硕; 韩恩厚
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| 2015-03-20
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| 发表期刊 | 表面技术
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| 期号 | 3页码:74-80+99 |
| 摘要 | 结合国内外微弧氧化技术的研究成果,综述了成膜过程火花放电机理及陶瓷层的生长过程,总结了电解液组成、电源类型、工作模式、电参数以及基体材料等对微弧氧化膜性能的影响。根据近年来微弧氧化技术用于镁合金表面处理的发展状况,介绍并分析了几种封孔处理的优化方法,重点介绍了工艺更为简单的原位封孔技术。同时也对镁合金微弧氧化技术的发展趋势和应用前景进行了展望。 |
| 部门归属 | 中国科学院金属研究所国家金属腐蚀控制工程技术研究中心
; 沈阳工业大学理学院
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| 关键词 | 微弧氧化
镁合金
耐蚀性
氧化工艺
成膜机理
原位封孔
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| 文献类型 | 期刊论文
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| 条目标识符 | http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74123
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| 专题 | 中国科学院金属研究所
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
董凯辉,宋影伟,单大勇,等. 镁合金微弧氧化技术的研究进展[J]. 表面技术,2015(3):74-80+99.
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| APA |
董凯辉,宋影伟,单大勇,孙硕,&韩恩厚.(2015).镁合金微弧氧化技术的研究进展.表面技术(3),74-80+99.
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| MLA |
董凯辉,et al."镁合金微弧氧化技术的研究进展".表面技术 .3(2015):74-80+99.
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